| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2006855 Nr producenta: SiSS22LDN-T1-GE3 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Wzmacniacz Vishay SiSS22LDN-T1-GE3 to N-kanałowy tranzystor MOSFET 60V (D-S).Układ mocy MOSFET TrenchFET® IV generacji Bardzo niska wartość FOM RDS-Qg Optymalizacja pod kątem najniższej wartości FOM RDS-Qoss Rg i UIS testowane w 100 % Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 92,5 A. | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60 V | Typ opakowania: | PowerPAK 1212-8S | Seria: | TrenchFET® Gen IV | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.0051 Ω, 0.00365 Ω | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2.5V | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2006855, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SiSS22LDNT1GE3 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |