|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1952555 Nr producenta:
NVMFD6H852NLWFT1G EAN/GTIN:
4017918919665 |
| |
|
| | |
| Kompaktowa konstrukcja z małą powierzchnią podstawy (5 x 6 mm) Niska wartość RDS(on) ogranicza do minimum straty przewodzenia Niska wartość QG i pojemność minimalizują straty sterownika NVMFD6H852NLWF − opcja końcówek wyprowadzeń odpornych na zawilgocenie usprawniająca kontrolę optyczną Zgodność z procesem PPAP Urządzenia bez zawartości ołowiu Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 25 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 80 V | Typ opakowania: | DFN | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 31,5 mΩ | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 1.2V | Maksymalna strata mocy: | 3,2 W | Konfiguracja tranzystora: | Dwa | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | ±20 V | Długość: | 6.1mm | Maksymalna temperatura robocza: | +175°C |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 1952555, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, NVMFD6H852NLWFT1G |
| | |
| |