|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1945751 Nr producenta:
FFSP1065B EAN/GTIN:
brak danych |
| |
|
| | |
| Diody Schottkyego z węglika krzemu (SiC) korzystają z zupełnie nowej technologii, która zapewnia najwyższą wydajność przełączania i większą niezawodność niż krzem. Brak prądu wstecznego, charakterystyka przełączania niezależna od temperatury i doskonała wydajność termiczna czynią węglik krzemu półprzewodnikiem mocy nowej generacji. Korzyści to między innymi najwyższa sprawność, większa częstotliwość robocza, zwiększona gęstość mocy, zmniejszona wartość EMI oraz zmniejszony rozmiar i koszt układu.Maksymalna temperatura połączenia Wysoka odporność na przepięcia Dodatni współczynnik temperatury Łatwe szeregowanie Brak odzyskiwania blokowania/przewodnictwa Bez zawartości Pb, bez zawartości halogenów/bez zawartości BFR 175C 49 MJ Zastosowania Zastosowania ogólne SMPS Falownik solarny Zasilacze UPS Obwód przełączania zasilania Dalsze informacje: | | Typ montażu: | Otwór przezierny | Typ opakowania: | TO-220 | Maksymalny ciągły prąd przewodzenia: | 11A | Szczytowe powtarzalne napięcie wsteczne: | 650V | Konfiguracja diody: | Pojedyncza | Typ prostownika: | Dioda Schottky'ego | Typ diody: | Dioda Schottky'ego SiC | Liczba styków: | 2 | Liczba elementów na układ: | 1 | Technologia diodowa: | Dioda Schottky'ego SiC | Szczytowy niepowtarzalny prąd udarowy przewodzenia: | 650A |
|
| | |
| | | |
| | | |
| |