| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-194091 Nr producenta: IXFN24N100 EAN/GTIN: 5059041484824 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | N-kanałowy MOSFET, IXYS Seria HiperFET™ Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 24 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 1000 V | Typ opakowania: | SOT-227 | Seria: | HiperFET | Typ montażu: | Montaż na śrubie | Liczba styków: | 4 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 390 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 5.5V | Maksymalna strata mocy: | 568 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 38.23mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150 °C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 194091, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, IXYS, IXFN24N100 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |