MOSFET N-kanałowy 10 A TO-220 800 V Pojedynczy 300 W 1,1 oma

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-194057

Producent:
IXYS

Nr producenta:
IXFP10N80P

EAN/GTIN:
5059041204774

Słowa kluczowe:

N-kanałowy MOSFET, IXYS Seria HiperFET™ Polar™. Tranzystory N-kanałowe Power MOSFET z szybką diodą intrincyjną (HiPerFET™) firmy IXYS

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N
Maksymalny ciągły prąd drenu:	10 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:	800 V
Typ opakowania:	TO-220
Seria:	HiperFET, Polar
Typ montażu:	Otwór przezierny
Liczba styków:	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	1,1 oma
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS:	5.5V
Maksymalna strata mocy:	300 W
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-30 V, +30 V
Długość:	10.66mm
Maksymalna temperatura robocza:	+150 °C

Dalsze słowa kluczowe: 194057, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, IXYS, IXFP10N80P

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 9,761*

Cena obowiązuje od 7 500 szt.

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 szt.	PLN 12,371*	PLN 15,216	za szt.
od 5 szt.	PLN 12,271*	PLN 15,093	za szt.
od 10 szt.	PLN 12,081*	PLN 14,86	za szt.
od 20 szt.	PLN 11,931*	PLN 14,675	za szt.
od 50 szt.	PLN 11,271*	PLN 13,863	za szt.
od 7500 szt.	PLN 9,761*	PLN 12,006	za szt.