IGBT Ic 50 A Uce 1200 V TO-268 Pojedynczy

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-192635

Producent:
IXYS

Nr producenta:
IXGT30N120B3D1

EAN/GTIN:
5059041197922

Słowa kluczowe:

Dyskrety IGBT IXYS

Dalsze informacje:


Maksymalny ciągły prąd kolektora:	50 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	1200 V
Typ opakowania:	TO-268
Typ montażu:	Montaż powierzchniowy
Liczba styków:	3
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Wymiary:	16.05 x 14 x 5.1mm
Maksymalna temperatura robocza:	+150 °C
Minimalna temperatura robocza:	-55 °C

Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory SMD, Tranzystor, Tranzystory, tranzystor smd, 192635, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, IXYS, IXGT30N120B3D1

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 65,507*

Cena obowiązuje od 3 000 szt.

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 szt.	PLN 98,337*	PLN 120,955	za szt.
od 2 szt.	PLN 92,884*	PLN 114,247	za szt.
od 5 szt.	PLN 82,771*	PLN 101,808	za szt.
od 10 szt.	PLN 79,361*	PLN 97,614	za szt.
od 15 szt.	PLN 75,737*	PLN 93,157	za szt.
od 20 szt.	PLN 74,927*	PLN 92,16	za szt.
od 3000 szt.	PLN 65,507*	PLN 80,574	za szt.