|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1924662 Nr producenta:
STP26N65DM2 EAN/GTIN:
brak danych |
| |
|
| | |
| Tranzystor MOSFET o wysokim napięciu w trybie N-channel stanowi część serii diod MDmesh™ DM2 zapewniających szybkie odtwarzanie. Zapewnia on bardzo niski poziom naładowania (Qrr) i czasu (TRR) w połączeniu z niskim sygnałem RDS(on), co sprawia, że jest on odpowiedni dla najbardziej wymagających konwerterów o wysokiej wydajności oraz idealnie nadaje się do topologii mostkowych oraz konwerterów ZVS z przełączaniem fazowym.Dioda szybkiego powrotu do pozycji wyjściowej Bardzo niski poziom naładowania bramki i pojemności wejściowej Niska rezystancja w stanie włączenia Bardzo wysoka odporność dv/dt Zabezpieczenie z wykorzystaniem diody Zenera Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 25 A | Typ opakowania: | TO-220 | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 190 μΩ | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 5V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 3V | Maksymalna strata mocy: | 160 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | ±25 V | Długość: | 10.4mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| | |
| | | |
| | | |
| |