| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-1924649 Nr producenta: STB18N60M6 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 13 A Typ opakowania = D2PAK (TO-263) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 280 miliomów Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napięcie progowe VGS = 4.75V Minimalne napięcie progowe VGS = 3.25V Maksymalna strata mocy = 110 W Konfiguracja tranzystora = Pojedynczy Maksymalne napięcie bramka-źródło = ±25 V Maksymalna temperatura robocza = +150°Cmm Napięcie przewodzenia diody = 1.6V Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 13 A | Typ opakowania: | D2PAK (TO-263) | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 280 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4.75V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 3.25V | Maksymalna strata mocy: | 110 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | ±25 V | Długość: | 10.4mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |