|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1890266 Nr producenta:
NVMFS5C406NLT1G EAN/GTIN:
brak danych |
| |
|
| | |
| Motoryzacyjny układ Power MOSFET w obudowie 5 x 6 mm z płaskimi wyprowadzeniami zaprojektowanej do kompaktowych i efektywnych konstrukcji i zapewniającej wysokie parametry termiczne. Opcja mokrego stołu dostępna do rozszerzonej inspekcji optycznej.Małe rozmiary (5 x 6 mm) Niska rezystancja w stanie włączenia RDS(on) Niska wartość QG i pojemność NVMFS5C404NLWF - zwilżalna wiązka kabli Zgodność z procesem PPAP Niewielkie rozmiary Ograniczenie do minimum strat przewodzenia Ograniczenie do minimum strat sterownika Usprawniona optyka Zastosowania Zabezpieczenie przez odwróceniem polaryzacji akumulatora Zasilacze impulsowe Przełączniki zasilania (sterownik strony wysokiej, sterownik strony niskiej, mostki H itd.) Produkty końcowe Sterownik elektrozaworu - ABS, wtrysk paliwa Sterowanie silnikiem - EPS, Wycieraczki, Fans, Fotele, itd. Przełącznik obciążenia - ECU, Podwozie, nadwozie Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 362 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40 V | Typ opakowania: | DFN | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 5 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 1,1 milioma | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 1.2V | Maksymalna strata mocy: | 179 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | ±20 V | Długość: | 6.1mm | Maksymalna temperatura robocza: | +175°C |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: tranzystor mosfet, 1890266, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, NVMFS5C406NLT1G |
| | |
| |