| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-1888491 Nr producenta: STL40DN3LLH5 EAN/GTIN: 5059045747352 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | To urządzenie jest N-kanałowym MOSFET o mocy opracowanym z wykorzystaniem technologii STMicroelectronics™ H5. Urządzenie zostało zoptymalizowane w celu uzyskania bardzo niskiej odporności na działanie stanu, co przyczyniło się do powstania FOM, który należy do najlepszych w swojej klasie.Niska rezystancja w stanie włączenia Wysoka odporność lawiny Utrata mocy napędu bramki Zestaw zwilżanych boków Zastosowania Przełączanie aplikacji Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 40 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30 V | Typ opakowania: | PowerFLAT 5 x 6 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 25 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 1.5V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 1V | Maksymalna strata mocy: | 50 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | ±22 V | Długość: | 6.2mm | Maksymalna temperatura robocza: | +175°C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 1888491, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, STMicroelectronics, STL40DN3LLH5 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |