|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1888440 Nr producenta:
STD5N80K5 EAN/GTIN:
5059045751274 |
| |
|
| | |
| Typ kanału = N
Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A
Typ opakowania = DPAK (TO-252)
Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Liczba styków = 3
Maksymalna rezystancja dren-źródło = 1.73 Ω
Tryb kanałowy = Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS = 5V
Minimalne napięcie progowe VGS = 3V
Maksymalna strata mocy = 60 W
Konfiguracja tranzystora = Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło = ±30 V
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs = 5 nC przy 10 Vmm
Wysokość = 2.17mm Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 4 A | Typ opakowania: | DPAK (TO-252) | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 1.73 Ω | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 5V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 3V | Maksymalna strata mocy: | 60 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | ±30 V | Długość: | 6.6mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 1888440, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, STMicroelectronics, STD5N80K5 |
| | |
| |