| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-1888440 Nr producenta: STD5N80K5 EAN/GTIN: 5059045751274 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 1.73 Ω Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napięcie progowe VGS = 5V Minimalne napięcie progowe VGS = 3V Maksymalna strata mocy = 60 W Konfiguracja tranzystora = Pojedynczy Maksymalne napięcie bramka-źródło = ±30 V Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs = 5 nC przy 10 Vmm Wysokość = 2.17mm Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 4 A | Typ opakowania: | DPAK (TO-252) | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 1.73 Ω | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 5V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 3V | Maksymalna strata mocy: | 60 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | ±30 V | Długość: | 6.6mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 1888440, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, STMicroelectronics, STD5N80K5 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |