| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-1885039 Nr producenta: SiSH101DN-T1-GE3 EAN/GTIN: 5059045742777 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 35 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = PowerPAK 1212-8SH Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 13 miliomów Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napięcie progowe VGS = 2.5V Minimalne napięcie progowe VGS = 1.2V Maksymalna strata mocy = 52 W Konfiguracja tranzystora = Pojedynczy Maksymalne napięcie bramka-źródło = ±25 V Szerokość = 3.3mm Wysokość = 0.93mm Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | P | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 35 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30 V | Typ opakowania: | PowerPAK 1212-8SH | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 13 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2.5V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 1.2V | Maksymalna strata mocy: | 52 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | ±25 V | Długość: | 3.3mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 1885039, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SiSH101DNT1GE3 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |