| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-1884951 Nr producenta: SIS862ADN-T1-GE3 EAN/GTIN: 5059045841616 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | N-kanałowy 60 V (D-S) tranzystora MOSFETUkład mocy MOSFET TrenchFET® IV generacji Bardzo niskim RDS x Qg rysunek-of-zasługi (FOM) Dostrojona dla najniższej RDS x Qoss FOM Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 52 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60 V | Typ opakowania: | PowerPAK 1212-8 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 11 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2.5V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 1V | Maksymalna strata mocy: | 39 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | ±20 V | Długość: | 3.15mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 1884951, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SIS862ADNT1GE3 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |