|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1868762 Nr producenta:
MUN5232DW1T1G EAN/GTIN:
5059045742647 |
| |
|
| | |
| Typ tranzystora = NPN
Maksymalny prąd DC kolektora = 100 mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 50 V
Typ opakowania = SOT-363
Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Maksymalna strata mocy = 385 mW
Konfiguracja tranzystora = Dwa
Liczba styków = 6
Liczba elementów na układ = 2
Typowy rezystor wejściowy = 4.7 k ΩkΩ Dalsze informacje: | | Typ tranzystora: | NPN | Maksymalny prąd DC kolektora: | 100 mA | Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50 V | Typ opakowania: | SOT-363 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Maksymalna strata mocy: | 385 mW | Konfiguracja tranzystora: | Dwa | Liczba styków: | 6 | Liczba elementów na układ: | 2 | Rezystor baza-emiter: | 4.7kΩ | Wymiary: | 2.2 x 1.35 x 1mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C | Typowy rezystor wejściowy: | 4.7 k Ω | Typowy współczynnik rezystora: | 1 | Norma motoryzacyjna: | AEC-Q101 |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: Tranzystor podwójny, Tranzystory podwójne, Tranzystor SMD, Tranzystory SMD, Tranzystor, Tranzystory, tranzystor npn, tranzystor smd, 1868762, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory bipolarne, onsemi, MUN5232DW1T1G |
| | |
| |