| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-1867921 Nr producenta: FQD18N20V2TM EAN/GTIN: 5059045746171 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tranzystor MOSFET o mocy w trybie optymalizacji kanału N jest produkowany przy użyciu zastrzeżonego pasa i technologii DMOS. Advanced MOSFET został specjalnie zaprojektowany w celu zmniejszenia odporności na zakłócenia stanowe i zapewnienia najwyższej jakości przełączania oraz wysokiej energii lawinowej. Urządzenia te są przystosowane do zasilania w trybie przełączania, czynnej korekcji współczynnika mocy (PFC) i stateczników lamp elektronicznych.15A, 200V, RDS(włączony) = 140mΩ(maks.) @VGS = 10 V, ID = 7,5A Niski poziom naładowania bramki ( Typ. 20nC) Niskie CRS ( typowy 25pF) Zastosowania Telewizory LCD Czujnik ciśnieniowego punktu rosy Telewizor LED Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ opakowania: | DPAK | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Maksymalna strata mocy: | 83 W | Liczba styków: | 2 + Tab | Liczba elementów na układ: | 1 | Wymiary: | 6.73 x 6.22 x 2.26mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C | Długość: | 6.73mm | Minimalna temperatura robocza: | -55°C | Szerokość: | 6.22mm |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |