|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1867501 Nr producenta:
MBRM110ET1G EAN/GTIN:
brak danych |
| |
|
| | |
| Niski poziom podczerwieni wydłuża czas pracy baterii Niski profil - maksymalna wysokość 1,1 mm Mała powierzchnia podstawy - 8,45 mm2 Temperatura przyłączeniowa podczas pracy 150°C. Niska rezystancja termiczna dzięki bezpośredniemu przebiegowi termicznemu Die na ujętym radiatorze cewnika Parametry mechaniczne: Obudowa: Profilowana Epoxy Waga: 62 mg (w przybliżeniu) Temperatura na powierzchni montażowej i ołowiu dla celów lutowania: 260°C maksymalnie przez 10 sekund Dostępne są obudowy bez zawartości ołowiu Spełnia wymagania w zakresie PPAP NRVB Prefix dla zastosowań motoryzacyjnych i innych wymaga unikatowych wymagań dotyczących witryny i zmian kontrolnych Dalsze informacje: | | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Typ opakowania: | Przypadek 457-04 | Maksymalny ciągły prąd przewodzenia: | 1A | Szczytowe powtarzalne napięcie wsteczne: | 10V | Konfiguracja diody: | Pojedyncza | Typ prostownika: | Prostownik Schottky'ego | Typ diody: | Dioda Schottky'ego | Liczba styków: | 5 | Liczba elementów na układ: | 1 | Technologia diodowa: | Bariera Schottky'ego | Szczytowy niepowtarzalny prąd udarowy przewodzenia: | 50A |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: Dioda SMD, Diody SMD, Dioda Schottky'ego, Diody Schottky'ego, Dioda Schottky, Diody Schottky, dioda 1a, dioda smd, 1867501, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Diody Schottky'ego i prostownicze, onsemi, MBRM110ET1G |
| | |
| |