|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1864925 Nr producenta:
1612618-1 EAN/GTIN:
5059045837947 |
| |
|
| | |
| Rodzaj = Żeński
Typ obudowy = Kąt prosty
Materiał styków = Stop miedzi
Pokrycie styku = Pozłacanie
Liczba styków = 200
Raster = 0.6mm
Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Metoda zakończenia = Lutowane
Materiał obudowy = Termoplastyczny
Typ SDRAM = SO
Blokowanie = Tak
Rozstaw rzędów = 6.2mm
Maksymalna rezystancja styku = 30.0mΩ
Prąd znamionowy = 500.0mA
Minimalna temperatura robocza = -55°C Dalsze informacje: | | Rodzaj: | Żeński | Typ gniazda pamięci: | Podstawka DIMM | Typ obudowy: | Kąt prosty | Materiał styków: | Stop miedzi | Pokrycie styku: | Pozłacanie | Liczba styków: | 200 | Raster: | 0.6mm | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Metoda zakończenia: | Lutowane | Materiał obudowy: | Termoplastyczny | Typ SDRAM: | SO | Blokowanie: | Tak | Rozstaw rzędów: | 6.2mm | Maksymalna rezystancja styku: | 30.0mΩ | Prąd znamionowy: | 500.0mA |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: gniazdo ic, 1864925, Złącza, Złącza USB, D Sub i złącza komputerowe, Gniazda pamięci, TE Connectivity, 16126181 |
| | |
| |