| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-1861534 Nr producenta: NTMFS5H610NLT1G EAN/GTIN: 5059045663614 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tranzystor zasilający MOSFET o napięciu 60 V 47A, 10 MB, pojedynczy poziom logiczny SO-8FLNiska rezystancja w stanie włączenia RDS(on) Wiodąca na rynku FOM Minimalizacja strat wynikających z przewodnictwa Poprawa wydajności przełączania Zastosowania modułów obciążenia Przetwornice DC-DC o wysokiej wydajności Syn wtórny Prostowanie Produkty końcowe NetCom, Telecom Serwer Zasilacz sieciowy Narzędzia do zasilania urządzenia Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 44 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60 V | Typ opakowania: | DFN | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 5 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 13 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 1.2V | Maksymalna strata mocy: | 43 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | ±20 V | Długość: | 5.1mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 1861534, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, NTMFS5H610NLT1G |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |