| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-1859222 Nr producenta: NVMTS0D7N04CTXG EAN/GTIN: 5059045240099 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 420 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = DFNW8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 670 μΩ Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napięcie progowe VGS = 4V Minimalne napięcie progowe VGS = 2V Maksymalna strata mocy = 205 W Konfiguracja tranzystora = Pojedynczy Maksymalne napięcie bramka-źródło = ±20 V Szerokość = 8mm Minimalna temperatura robocza = -55°CV Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 420 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40 V | Typ opakowania: | DFNW8 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 670 μΩ | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 2V | Maksymalna strata mocy: | 205 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | ±20 V | Długość: | 8.1mm | Maksymalna temperatura robocza: | +175°C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: tranzystor mosfet, 1859222, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, NVMTS0D7N04CTXG |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |