|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1859066 Nr producenta:
NSVJ5908DSG5T1G EAN/GTIN:
5059045238041 |
| |
|
| | |
| Typ kanału = N
Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 mA
Maksymalne napięcie dren-źródło = 15 V
Typ opakowania = MCPH
Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Liczba styków = 5
Maksymalna strata mocy = 300 mW
Konfiguracja tranzystora = Pojedynczy
Szerokość = 1.6mm
Wysokość = 0.83mm Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 50 mA | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 15 V | Typ opakowania: | MCPH | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 5 | Maksymalna strata mocy: | 300 mW | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Długość: | 2mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C | Liczba elementów na układ: | 1 | Szerokość: | 1.6mm | Norma motoryzacyjna: | AEC-Q101 | Wysokość: | 0.83mm | Minimalna temperatura robocza: | -55°C |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 1859066, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, NSVJ5908DSG5T1G |
| | |
| |