| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-1859066 Nr producenta: NSVJ5908DSG5T1G EAN/GTIN: 5059045238041 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 15 V Typ opakowania = MCPH Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Maksymalna strata mocy = 300 mW Konfiguracja tranzystora = Pojedynczy Szerokość = 1.6mm Wysokość = 0.83mm Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 50 mA | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 15 V | Typ opakowania: | MCPH | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 5 | Maksymalna strata mocy: | 300 mW | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Długość: | 2mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C | Liczba elementów na układ: | 1 | Szerokość: | 1.6mm | Norma motoryzacyjna: | AEC-Q101 | Wysokość: | 0.83mm | Minimalna temperatura robocza: | -55°C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 1859066, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, NSVJ5908DSG5T1G |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |