|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1857977 Nr producenta:
ESD5581N2T5G EAN/GTIN:
brak danych |
| |
|
| | |
| ESD5581 ma na celu ochronę wrażliwych na napięcie elementów, które wymagają niskiego potencjału przed zdarzeniami ESD. Doskonałe parametry stabilizacji, niska pojemność, niski prąd upływowy i krótki czas reakcji zapewniają doskonałą ochronę ESD konstrukcji, w których przestrzeń na płytce jest ograniczona. Ze względu na niską pojemność, część ta doskonale nadaje się do zastosowań w wysokich częstotliwościach, takich jak urządzenia USB 2.0 o dużej szybkości.Niska pojemność, 5,0 μF (maks.) Niskie napięcie hamowania, 10 V. Wymiary obrysu małego ciała, 0,62 mm x 0,32 mm Niska wysokość nadwozia, 0,3 mm Napięcie wyłączenia, 5 V. Zastosowania Identyfikator USB GPIO Ochrona μSD Produkty końcowe Dyski flash HDD Dalsze informacje: | | Konfiguracja diody: | Pojedyncza | Kierunkowość: | Dwukierunkowy | Maksymalne napięcie stabilizacji: | 12V | Maksymalne napięcie przebicia: | 5.2V | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Typ opakowania: | X2DFN | Maksymalne napięcie wsteczne w trybie zawieszenia: | 5V | Liczba styków: | 2 | Szczytowa impulsowa strata mocy: | 250mW | Maksymalny szczytowy prąd impulsowy: | 6A | Zabezpieczenie antystatyczne: | Tak | Liczba elementów na układ: | 1 | Minimalna temperatura robocza: | -55°C | Wymiary: | 0.66 x 0.36 x 0.28mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: Dioda zabezpieczająca, Diody zabezpieczające, Transil, Transile, dioda smd, 1857977, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Diody TVS, onsemi, ESD5581N2T5G |
| | |
| |