| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-1844307 Nr producenta: MJ21196G EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Urządzenia MJ21195G i MJ21196G wykorzystują technologię Perforated Emiter oraz specjalnie zaprojektowane do wysokich wyjść audio, pozycjonerów głowic dyskowych i zastosowań liniowych.Całkowita charakterystyka zniekształcenia harmoniczne Wysokie wzmocnienie prądu stałego - hFE = 25 min przy IC = 8 ADC Doskonała liniowość wzmocnienia Wysoki SOA: 3 A, 80 V, 1 sekunda Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ tranzystora: | NPN | Maksymalny prąd DC kolektora: | 30 A | Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 250 V | Typ opakowania: | TO-204AA | Typ montażu: | Otwór przezierny | Maksymalna strata mocy: | 250 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie kolektor-baza: | 400 V DC | Maksymalne napięcie emiter-baza: | 5 V DC | Maksymalna częstotliwość robocza: | 1 MHz | Liczba styków: | 3 | Liczba elementów na układ: | 1 | Wymiary: | 39.37 x 26.67 x 8.51mm | Maksymalna temperatura robocza: | +200°C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 1844307, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory bipolarne, onsemi, MJ21196G |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |