|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1841206 Nr producenta:
MUN5111T1G EAN/GTIN:
5059045345091 |
| |
|
| | |
| Ta seria tranzystorów cyfrowych została zaprojektowana w taki sposób, aby zastąpić pojedyncze urządzenie i jego zewnętrzną sieć przesunięcia rezystora. Tranzystor bias rezystor (BRT) zawiera pojedynczy tranzystor z monolityczną siecią składającą się z dwóch oporników, rezystora podstawowego serii i rezystora podstawowego. BRT eliminuje te poszczególne elementy poprzez zintegrowanie ich z jednym urządzeniem. Użycie urządzenia BRT może zmniejszyć zarówno koszty systemu, jak i ilość miejsca na płycie.Upraszcza konstrukcję obwodu Zmniejsza ilość miejsca na płycie Zmniejsza liczbę elementów Urządzenia wolne od ołowiu, halogenów i BFR Dalsze informacje: | | Typ tranzystora: | PNP | Maksymalny prąd DC kolektora: | -100 mA | Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | -50 V | Typ opakowania: | SOT-323 (SC-70) | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Maksymalna strata mocy: | 310 mW | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie kolektor-baza: | 50 V | Liczba styków: | 3 | Liczba elementów na układ: | 1 | Wymiary: | 2.2 x 1.35 x 0.9mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: tranzystor pnp, tranzystor smd, 1841206, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory bipolarne, onsemi, MUN5111T1G |
| | |
| |