| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-1841168 Nr producenta: MJH11020G EAN/GTIN: 5059045228769 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ tranzystora = NPN Maksymalny prąd DC kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 250 V Typ opakowania = TO-218 Typ montażu = Otwór przezierny Maksymalna strata mocy = 150 W Konfiguracja tranzystora = Pojedynczy Maksymalne napięcie kolektor-baza = 200 V Maksymalne napięcie emiter-baza = 5 V Maksymalna częstotliwość robocza = 1 MHz Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1 Wymiary = 15.2 x 4.9 x 20.35mm Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ tranzystora: | NPN | Maksymalny prąd DC kolektora: | 30 A | Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 250 V | Typ opakowania: | TO-218 | Typ montażu: | Otwór przezierny | Maksymalna strata mocy: | 150 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie kolektor-baza: | 200 V | Maksymalne napięcie emiter-baza: | 5 V | Maksymalna częstotliwość robocza: | 1 MHz | Liczba styków: | 3 | Liczba elementów na układ: | 1 | Wymiary: | 15.2 x 4.9 x 20.35mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C | Maksymalne napięcie nasycenia kolektor-emiter: | 4 V DC |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 1841168, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory bipolarne, onsemi, MJH11020G |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |