| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-1827493 Nr producenta: DMT6018LDR-13 EAN/GTIN: 5059045309161 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 11,4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = V-DFN3030 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 26 miliomów Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napięcie progowe VGS = 3V Minimalne napięcie progowe VGS = 1V Maksymalna strata mocy = 1,9 W Maksymalne napięcie bramka-źródło = ±20 V Szerokość = 3.05mm Wysokość = 0.8mm Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 11,4 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60 V | Typ opakowania: | V-DFN3030 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 26 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 3V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 1V | Maksymalna strata mocy: | 1,9 W | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | ±20 V | Długość: | 3.05mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C | Liczba elementów na układ: | 2 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 1827493, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, DiodesZetex, DMT6018LDR13 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |