|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1827372 Nr producenta:
DMTH10H025SK3-13 EAN/GTIN:
5059045296270 |
| |
|
| | |
| MOSFET nowej generacji charakteryzuje się niską odpornością na zakłócenia i szybkim przełączaniem, co sprawia, że idealnie nadaje się do zastosowań w systemach zarządzania energią o wysokiej wydajności.100% niezaciśnięte indukcyjne przełączanie - zapewnia większą niezawodność I solidnej aplikacji końcowej Niski RDS(ON) - minimalizacja strat mocy Low QG (Niska wartość QG) - minimalizacja strat związanych z przełączaniem Bezołowiowe wykończenie Nie zawiera halogenków i antymonów. ″Zielone″ urządzenie. Zastosowania Funkcje zarządzania energią Przetwornice DC/DC Podświetlenie Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 46,3 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100 V | Typ opakowania: | DPAK (TO-252) | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 30 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 2V | Maksymalna strata mocy: | 3,7 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | ±20 V | Długość: | 6.7mm | Maksymalna temperatura robocza: | +175°C |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 1827372, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, DiodesZetex, DMTH10H025SK313 |
| | |
| |