|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1827039 Nr producenta:
DMN31D5L-7 EAN/GTIN:
5059045319849 |
| |
|
| | |
| Tranzystor MOSFET został zaprojektowany w taki sposób, aby zminimalizować odporność na zmiany stanu (RDS(ON)), a przy tym zachować najwyższą wydajność przełączania, co czyni go idealnym rozwiązaniem do zastosowań w systemach zarządzania energią o wysokiej wydajności.Niska rezystancja w stanie włączenia Niska pojemność wejściowa Wysoka szybkość przełączania Niski przeciek wejścia/wyjścia Całkowicie bezołowiowy Nie zawiera halogenków i antymonów. Urządzenie „ekologiczne”; Zastosowania Sterowanie silnikiem Funkcje zarządzania energią Podświetlenie Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 500 mA | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30 V | Typ opakowania: | SOT-23 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 2 miliomy | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 1.6V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 0.8V | Maksymalna strata mocy: | 520 mW | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | ±20 V | Długość: | 3mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 1827039, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, DiodesZetex, DMN31D5L7 |
| | |
| |