| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-1827013 Nr producenta: DMN3020UTS-13 EAN/GTIN: 5059045316176 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 15 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = TSSOP Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 50 miliomów Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napięcie progowe VGS = 1V Minimalne napięcie progowe VGS = 0.4V Maksymalna strata mocy = 1,4 W Konfiguracja tranzystora = Pojedynczy Maksymalne napięcie bramka-źródło = ±12 V Szerokość = 3.1mm Minimalna temperatura robocza = -55°CV Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 15 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30 V | Typ opakowania: | TSSOP | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 50 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 1V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 0.4V | Maksymalna strata mocy: | 1,4 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | ±12 V | Długość: | 4.5mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 1827013, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, DiodesZetex, DMN3020UTS13 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |