|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1826890 Nr producenta:
DMN2058UW-7 EAN/GTIN:
brak danych |
| |
|
| | |
| Typ kanału = N
Maksymalny ciągły prąd drenu = 4,6 A
Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V
Typ opakowania = SOT-23
Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Liczba styków = 3
Maksymalna rezystancja dren-źródło = 91 miliomów
Tryb kanałowy = Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS = 1.2V
Minimalne napięcie progowe VGS = 0.4V
Maksymalna strata mocy = 1,13 W
Konfiguracja tranzystora = Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło = ±12 V
Szerokość = 1.4mm
Wysokość = 1mm Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 4,6 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20 V | Typ opakowania: | SOT-23 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 91 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 1.2V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 0.4V | Maksymalna strata mocy: | 1,13 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | ±12 V | Długość: | 3mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 1826890, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, DiodesZetex, DMN2058UW7 |
| | |
| |