| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-1808044 Nr producenta: SI4497DY-T1-GE3 EAN/GTIN: 5059045705352 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 36 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0046 O. Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napięcie progowe VGS = 2.5V Liczba elementów na układ = 1 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | P | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 36 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30 V | Typ opakowania: | SO-8 | Seria: | TrenchFET | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.0046 O. | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2.5V | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 1808044, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SI4497DYT1GE3 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |