| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-1807944 Nr producenta: SI2300DS-T1-GE3 EAN/GTIN: 5059045790365 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 3,6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.068 O. Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napięcie progowe VGS = 1.5V Liczba elementów na układ = 1 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 3,6 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30 V | Typ opakowania: | SOT-23 | Seria: | TrenchFET | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.068 O. | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 1.5V | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 1807944, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SI2300DST1GE3 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |