| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-1807932 Nr producenta: SI8483DB-T2-E1 EAN/GTIN: 5059045794776 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 16 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 12 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.026 O. Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napięcie progowe VGS = 0.8V Liczba elementów na układ = 1 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | P | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 16 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 12 V | Typ opakowania: | MICRO FOOT | Seria: | TrenchFET | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 6 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.026 O. | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 0.8V | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 1807932, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SI8483DBT2E1 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |