| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-1787610 Nr producenta: NTA7002NT1G EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | N-Channel MOSFET z diodą Schottky, ON Semiconductor Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 150 mA | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30 V | Typ opakowania: | SC-75 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 7,5 oma | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 1.5V | Maksymalna strata mocy: | 300 mW | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -10 V, +10 V | Długość: | 1.65mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 1787610, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, NTA7002NT1G |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |