| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-1785717 Nr producenta: IMX25T110 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ tranzystora = NPN/PNP Maksymalny prąd DC kolektora = 300 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 20 V Typ opakowania = SOT-457 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Maksymalna strata mocy = 300 mW Minimalne wzmocnienie prądu DC = 820 Konfiguracja tranzystora = Izolacja Maksymalne napięcie kolektor-baza = 50 V Maksymalne napięcie emiter-baza = 25 V Maksymalna częstotliwość robocza = 10 MHz Liczba styków = 6 Liczba elementów na układ = 2 Wymiary = 2.9 x 1.6 x 1.1mm Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ tranzystora: | NPN/PNP | Maksymalny prąd DC kolektora: | 300 mA | Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 20 V | Typ opakowania: | SOT-457 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Maksymalna strata mocy: | 300 mW | Minimalne wzmocnienie prądu DC: | 820 | Konfiguracja tranzystora: | Izolacja | Maksymalne napięcie kolektor-baza: | 50 V | Maksymalne napięcie emiter-baza: | 25 V | Maksymalna częstotliwość robocza: | 10 MHz | Liczba styków: | 6 | Liczba elementów na układ: | 2 | Wymiary: | 2.9 x 1.6 x 1.1mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 1785717, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory bipolarne, ROHM, IMX25T110 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |