| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-1784812 Nr producenta: MJD200G EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Numery części producenta z przedrostkiem NSV są zakwalifikowanymi przez firmę motoryzacyjną do standardu AEC-Q101. Tranzystory zasilające NPN, ON Semiconductor Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ tranzystora: | NPN | Maksymalny prąd DC kolektora: | 5 mA | Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 25 V | Typ opakowania: | DPAK (TO-252) | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Maksymalna strata mocy: | 12,5 W | Minimalne wzmocnienie prądu DC: | 45 | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie kolektor-baza: | 40 V DC | Maksymalne napięcie emiter-baza: | 8 V | Maksymalna częstotliwość robocza: | 10 MHz | Liczba styków: | 4 | Liczba elementów na układ: | 1 | Wymiary: | 6.73 x 6.22 x 2.38mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 1784812, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory bipolarne, onsemi, MJD200G |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |