| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-1784606 Nr producenta: NVMFS5C426NLT1G EAN/GTIN: 5059045299431 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Motoryzacyjny układ Power MOSFET w obudowie 5 x 6 mm z płaskimi wyprowadzeniami zaprojektowanej do kompaktowych i efektywnych konstrukcji i zapewniającej wysokie parametry termiczne. Opcja końcówek wyprowadzeń odpornych na zawilgocenie usprawnia kontrolę optyczną. Odpowiednie do zastosowań motoryzacyjnych.Funkcje Małe rozmiary (5 x 6 mm) Niska rezystancja w stanie włączenia RDS(on) Niska wartość QG i pojemność Opcja końcówek wyprowadzeń odpornych na zawilgocenie Spełnia wymagania w zakresie PPAP Korzyści Niewielkie rozmiary Ograniczenie do minimum strat przewodzenia Ograniczenie do minimum strat sterownika Usprawniona kontrola optyczna Zastosowania Zabezpieczenie przez odwróceniem polaryzacji akumulatora Przełączniki zasilania (sterownik strony wysokiej, sterownik strony niskiej, mostki H itd.) Zasilacze impulsowe Produkty końcowe Sterownik elektromagnesu – ABS, wtrysk paliwa Sterowanie silnikami – EPS, wycieraczki, wentylatory, fotele itd. Przełączanie obciążenia – ECU, obudowa, korpus Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 237 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40 V | Typ opakowania: | DFN | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 5 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 1,2 milioma | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 1.2V | Maksymalna strata mocy: | 128 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | ±20 V | Długość: | 5.1mm | Maksymalna temperatura robocza: | +175°C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: tranzystor mosfet, 1784606, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, NVMFS5C426NLT1G |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |