|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1784558 Nr producenta:
FDMC007N08LCDC EAN/GTIN:
5059045289203 |
| |
|
| | |
| Seria MOSFET MV, kanał N, jest produkowana przy użyciu zaawansowanego procesu PowerTrench® Fairchild Semiconductor, który wykorzystuje technologię osłoniętej bramki. Proces ten został zoptymalizowany w celu zminimalizowania rezystancji w stanie włączenia, a jednocześnie utrzymania jakości przełączania dzięki wysokiej klasy diodzie o płynnym włączaniu i wyłączaniu.Technologia osłoniętej bramki MOSFET Maks. rDS(on) = 6,8 mΩ przy VGS = 10 V, ID = 21 A Maks. rDS(on) = 11,1 mΩ przy VGS = 4,5 V, ID = 17 A Napęd o napięciu 5 V O 50% niższa wartość Qrr w porównaniu do innych dostawców MOSFET Zmniejsza zakłócenia przełączania/elektromagnetyczne Wytrzymała obudowa MSL1 Obudowa z funkcją Dualcool Zastosowania Podstawowy DC−DC MOSFET Prostownik synchroniczny, DC-DC i AC-DC Napęd silnikowy Do instalacji solarnych Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 22 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 80 V | Typ opakowania: | PQFN8 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 6,8 milioma | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2.5V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 1V | Maksymalna strata mocy: | 57 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | ±20 V | Długość: | 3.4mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 1784558, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, FDMC007N08LCDC |
| | |
| |