|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1784448 Nr producenta:
NTHL040N65S3F EAN/GTIN:
5059045291640 |
| |
|
| | |
| SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.Features 700 V @ TJ = 150 Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 158 nC) Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 1366pF) Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode) Optimized Capacitance Typ. RDS(on) = 32 mΩ Applications Telecommunication Cloud system Industrial Benefits Higher system reliability at low temperature operation Lower switching loss Lower switching loss Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge circuit Lower peak Vds and lower Vgs oscillation End Products Telecom power Server power EV charger Solar / UPS Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 65 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650 V | Typ opakowania: | TO-247 | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 40 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 5V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 3V | Maksymalna strata mocy: | 446 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | ±30 V | Długość: | 15.87mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 1784448, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, NTHL040N65S3F |
| | |
| |