| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-1783859 Nr producenta: SQJ415EP-T1_GE3 EAN/GTIN: 5059045291114 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 30 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 20 mΩ Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napięcie progowe VGS = 2.5V Minimalne napięcie progowe VGS = 1.5V Maksymalna strata mocy = 45 W Konfiguracja tranzystora = Pojedynczy Maksymalne napięcie bramka-źródło = ±20 V Maksymalna temperatura robocza = +175°Cmm Norma motoryzacyjna = AEC-Q101mm Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | P | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 30 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40 V | Typ opakowania: | PowerPAK SO-8L | Seria: | TrenchFET | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 4 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 20 mΩ | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2.5V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 1.5V | Maksymalna strata mocy: | 45 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | ±20 V | Długość: | 5.99mm |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: tranzystor mosfet, 1783859, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay Siliconix, SQJ415EPT1_GE3 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |