|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1783859 Nr producenta:
SQJ415EP-T1_GE3 EAN/GTIN:
5059045291114 |
| |
|
| | |
| Typ kanału = P
Maksymalny ciągły prąd drenu = 30 A
Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V
Typ opakowania = PowerPAK SO-8L
Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Liczba styków = 4
Maksymalna rezystancja dren-źródło = 20 mΩ
Tryb kanałowy = Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS = 2.5V
Minimalne napięcie progowe VGS = 1.5V
Maksymalna strata mocy = 45 W
Konfiguracja tranzystora = Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło = ±20 V
Maksymalna temperatura robocza = +175°Cmm
Norma motoryzacyjna = AEC-Q101mm Dalsze informacje: | | Typ kanału: | P | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 30 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40 V | Typ opakowania: | PowerPAK SO-8L | Seria: | TrenchFET | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 4 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 20 mΩ | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2.5V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 1.5V | Maksymalna strata mocy: | 45 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | ±20 V | Długość: | 5.99mm |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: tranzystor mosfet, 1783859, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay Siliconix, SQJ415EPT1_GE3 |
| | |
| |