|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1783663 Nr producenta:
Si2319DDS-T1-GE3 EAN/GTIN:
brak danych |
| |
|
| | |
| Tranzystor mocy MOSFET w technologii TrenchFET® III generacji z kanałem typu p Dalsze informacje: | | Typ kanału: | P | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 3,6 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40 V | Typ opakowania: | SOT-23 | Seria: | TrenchFET | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 100 mΩ | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2.5V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 1V | Maksymalna strata mocy: | 1,7 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | ±20 V | Długość: | 3.04mm |
|
| | |
| | | |
| | | |
| | | Oferty (2) | | |
| | Stan magazynu | Min. liczba zamawianych produktów | | Wysyłka | | | | | | | | | | | | | | Magazyn 3MTJS | | | | 3000 | | Dostawa bezpłatna | od PLN 0,572* | PLN 0,662* | | | | | | | | | 1 | | PLN 12,90* | od PLN 0,84* | PLN 2,07* | | | | | | | | | | | | | | | | | Ceny: Magazyn 3MTJS | | Liczba zamawianego produktu | Netto | Brutto | Jednostka | | | | | | | | | | Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 3 000 szt. | Minimalna liczba zamawianych produktów: 3000 szt. ( odpowiada PLN 1 986,00* plus VAT ) |
|
| | | | | Stan magazynu: Magazyn 3MTJS | | Wysyłka: Magazyn 3MTJS | | | | | | Wartość zamówienia | Wysyłka | od PLN 0,00* | PLN 15,90* | | od PLN 330,00* | Dostawa bezpłatna |
|
| | | | | Zasady zwrotu artykułu: Magazyn 3MTJS | | | | Okres czasu: | w przeciągu 21 dni | | Stan opakowania: | opakowanie oryginalne nieotwarte, brak uszkodzeń | | Stan towaru: | nieużywany | | Koszty przesyłki zwrotnej: | ponosi klient | | Opłata manipulacyjna: | Koszty zostaną ustalone przez partnera handlowego po sprawdzeniu każdego poszczególnego przypadku. | | Okres gwarancyjny wg Ogólnych Warunków Handlowych pozostaje niezależny od podanych praw do zwrotu. |
|
| | | | | | | |
|