| |
|
| Nr artykułu: 3MTJS-1779734 Nr producenta: TN0106N3-G EAN/GTIN: 5059045707059 |
| |
|
| | |
| Microchip Technology MOSFMOSFET Microchip Technology do montażu przelotowego to nowy produkt w nowej epoce, o rezystancji źródła sygnału 3 omy przy napięciu wyjściowym 10 V. Posiada on napięcie źródła sygnału spustu 60 V i maksymalne napięcie źródła sygnału 20 V. Prąd spustu ciągłego wynosi 350 mA, a maksymalne rozpraszanie energii 1 W. Napięcie minimalne i maksymalne dla tego MOSFET wynosi odpowiednio 4,5 V i 10 V. MOSFET to tranzystor (zwykle wyłączony) wykorzystujący pionową strukturę DMOS i sprawdzony proces produkcji bramki silikonowej. Ta kombinacja daje urządzenie o możliwościach tranzystorów bipolarnych oraz o wysokiej impedancji wejściowej i dodatnim współczynniku temperatury charakterystycznym dla układów MOS. Istotne cechy wszystkich struktur MOS sprawiają, że urządzenie to jest wolne od usterek cieplnych i wtórnych wywołanych termicznie. Ten pionowy układ DMOS FET został zoptymalizowany pod kątem zmniejszenia strat związanych z przełączaniem i przewodzeniem. MOSFET to znakomita wydajność oraz długi i wydajny okres eksploatacji bez utraty wydajności lub funkcjonalności.Charakterystyka i zalety• Ułatwienie do pracy równoległej • Doskonała stabilność termiczna • Wolne od podziału wtórnego • Wysoka impedancja wejściowa i wysokie wzmocnienie • Zintegrowana dioda spustu źródła • Niski CISS i szybkie przełączanie • Niskie zapotrzebowanie na napęd • Zakres temperatury pracy od -55°C do 150°C.Zastosowania• Przełączniki analogowe • Systemy zasilane akumulatorowo • Kierowniki linii ogólnego przeznaczenia • Interfejsy na poziomie układów logicznych - idealne dla TTL i CMOS • Napędy fotograficzne • Przekaźniki półprzewodnikowe • Przełączniki telekomunikacyjneCertyfikaty• ANSI/ESD S20.20:2014 • BS EN 61340-5-1:2007 • JEDEN Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 350 mA | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60 V | Typ opakowania: | TO-92 | Seria: | TN0106 | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 4,5 oma | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 0.6V | Maksymalna strata mocy: | 1 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20 V | Długość: | 5.08mm |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: MOSFET, Tranzystor MOSFET, Tranzystory MOSFET, Tranzystor, Tranzystory, tranzystor polowy, 1779734, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Microchip, TN0106N3G |
| | |
| | | Oferty (2) | | |
| | Stan magazynu | Min. liczba zamawianych produktów | | Wysyłka | | | | | | | | | | | | | | 1 | | PLN 12,90* | od PLN 3,13* | PLN 5,34* | | | | Magazyn 3MTJS | | | | 20 | | PLN 15,90* | od PLN 3,811* | PLN 5,636* | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Ceny: Magazyn 3MTJS | | Liczba zamawianego produktu | Netto | Brutto | Jednostka | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 20 szt. | Minimalna liczba zamawianych produktów: 20 szt. ( odpowiada PLN 112,72* plus VAT ) |
|
| | | | | Stan magazynu: Magazyn 3MTJS | | Wysyłka: Magazyn 3MTJS | | | | | | Wartość zamówienia | Wysyłka | od PLN 0,00* | PLN 15,90* | | od PLN 330,00* | Dostawa bezpłatna |
|
| | | | | Zasady zwrotu artykułu: Magazyn 3MTJS | | | Okres czasu: | w przeciągu 21 dni | Stan opakowania: | opakowanie oryginalne nieotwarte, brak uszkodzeń | Stan towaru: | nieużywany | Koszty przesyłki zwrotnej: | ponosi klient | Opłata manipulacyjna: | Koszty zostaną ustalone przez partnera handlowego po sprawdzeniu każdego poszczególnego przypadku. | Okres gwarancyjny wg Ogólnych Warunków Handlowych pozostaje niezależny od podanych praw do zwrotu. |
|
| | | | | | | |
|