MOSFET N-kanałowy 4 A SOIC SMD

NCP81075 to wydajny podwójny układ sterownika bramki MOSFET (strony wysokiej i niskiej) przeznaczony do sterowania układami MOSFET wysokiego napięcia i wysokiej prędkości pracującymi pod napięciem do 180 V. Urządzenie NCP81075 zawiera układ sterownika i diodę bootstrap. Prąd sterowania wynosi do 4 A. Sterowniki strony wysokiej i strony niskiej są kontrolowane przez dopasowane typowe opóźnienie propagacji 3,5 ns. Układ jest doskonale przystosowany do zastosowań obniżania wysokiego napięcia, a także do użycia w zasilaczu impulsowym lub w przetwornicy przepustowej z dwoma przełącznikami i układem active clamp. Ponadto może być używany w zastosowaniach wymagających optymalizatora i falownika instalacji solarnej. Jest dostępny w obudowach SO8, 8-stykowych DFN i 10-stykowych DFN oraz w pełnym zakresie temperatur: od -40°C do 140°C.Steruje dwoma tranzystorami MOSFET z kanałem N w trybie strony wysokiej i niskiej Zintegrowana dioda Bootstrap do sterownika bramki strony wysokiej Zakres napięcia zasilania Bootstrap do 180 V Prąd wyjściowy źródła wynosi 4 A, natomiast w przypadku ujścia 4 A Sterowanie obciążeniem 1 nF przy typowych czasach narastania/opadania zbocza na poziomie 8 ns/7 ns Szeroki zakres napięcia zasilania: od 8,5 V do 20 V Krótkie czasy opóźnienia propagacji (typ. 20 ns) Dopasowanie opóźnienia 2 ns (typowo) Zabezpieczenie przed zbyt niskim napięciem sterowania z blokadą (UVLO) Zakres temperatur pracy złącza od -40°C do 140°C Zastosowania Przetwornica obniżająca napięcie Zasilacz impulsowy Wzmacniacz dźwięku klasy D Przetwornica przepustowa z dwoma przełącznikami i układem active clamp Optymalizator instalacji solarnej