MOSFET N-kanałowy 203 A DFN 80 V SMD Pojedynczy 200 W 3,5 milioma

On SemiconductorN-kanałowy MOSFET ON Semiconductor DFN5 to nowy produkt w wieku, który charakteryzuje się niskim napięciem wyjściowym rzędu 80 V i maksymalnym napięciem źródła bramki 20 V. Posiada on rezystancję źródła sygnału spustowego 2,1 mohm przy napięciu źródła sygnału równym 10 V. Urządzenie jest zasilane prądem ciągłego spustu o natężeniu 203A i maksymalnym rozproszeniu energii wynoszącym 200 W. Minimalne i maksymalne napięcie podczas jazdy dla tego tranzystora wynosi odpowiednio 6 V i 10 V. MOSFET został zoptymalizowany pod kątem zmniejszenia strat związanych z przełączaniem i przewodzeniem. MOSFET to znakomita wydajność oraz długi i wydajny okres eksploatacji bez utraty wydajności lub funkcjonalności.Charakterystyka i zalety• Kompaktowa konstrukcja • bezołowiowy (Pb) • Niska QG i pojemność • Niska QG i pojemność w celu zminimalizowania strat kierowcy • Niski sygnał RDS (włączony) minimalizujący straty związane z przewodzeniem • minimalizacja strat związanych z przewodzeniem • minimalizacja strat kierowcy • Zakres temperatury pracy od -55°C do 175°C. • Niewielkie wymiary (5x6 mm)Zastosowania• Systemy 48V. • Przetwornik DC/DC • Wstawić przełącznik • Sterowanie silnikiem • Przełączniki Power (kierowca po stronie wysokiego napięcia, kierowca po stronie niskiego napięcia, mosty po stronie H itd.) • Przełączanie zasilaczy • prostownik synchronicznyCertyfikaty• ANSI/ESD S20.20:2014 • BS EN 61340-5-1:2007