| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-1728974 Nr producenta: NTMFS6H800NT1G EAN/GTIN: 5059042323030 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | On SemiconductorN-kanałowy MOSFET ON Semiconductor DFN5 to nowy produkt w wieku, który charakteryzuje się niskim napięciem wyjściowym rzędu 80 V i maksymalnym napięciem źródła bramki 20 V. Posiada on rezystancję źródła sygnału spustowego 2,1 mohm przy napięciu źródła sygnału równym 10 V. Urządzenie jest zasilane prądem ciągłego spustu o natężeniu 203A i maksymalnym rozproszeniu energii wynoszącym 200 W. Minimalne i maksymalne napięcie podczas jazdy dla tego tranzystora wynosi odpowiednio 6 V i 10 V. MOSFET został zoptymalizowany pod kątem zmniejszenia strat związanych z przełączaniem i przewodzeniem. MOSFET to znakomita wydajność oraz długi i wydajny okres eksploatacji bez utraty wydajności lub funkcjonalności.Charakterystyka i zalety• Kompaktowa konstrukcja • bezołowiowy (Pb) • Niska QG i pojemność • Niska QG i pojemność w celu zminimalizowania strat kierowcy • Niski sygnał RDS (włączony) minimalizujący straty związane z przewodzeniem • minimalizacja strat związanych z przewodzeniem • minimalizacja strat kierowcy • Zakres temperatury pracy od -55°C do 175°C. • Niewielkie wymiary (5x6 mm)Zastosowania• Systemy 48V. • Przetwornik DC/DC • Wstawić przełącznik • Sterowanie silnikiem • Przełączniki Power (kierowca po stronie wysokiego napięcia, kierowca po stronie niskiego napięcia, mosty po stronie H itd.) • Przełączanie zasilaczy • prostownik synchronicznyCertyfikaty• ANSI/ESD S20.20:2014 • BS EN 61340-5-1:2007 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 203 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 80 V | Typ opakowania: | DFN | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 5 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 3,5 milioma | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 2V | Maksymalna strata mocy: | 200 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | ±20 V | Długość: | 6.1mm | Maksymalna temperatura robocza: | +175°C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 1728974, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, NTMFS6H800NT1G |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |