|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1724630 Nr producenta:
FCB199N65S3 EAN/GTIN:
5059042278729 |
| |
|
| | |
| SuperFET® III MOSFET to ON zupełnie nowa rodzina elementów MOSFET SJ wysokiego napięcia, która korzysta z technologii równoważenia obciążenia, aby zapewnić doskonałą rezystancję włączenia i obniżyć ładunek bramki. Ta zaawansowana technologia jest dopasowana do minimalnych strat przewodzenia, zapewnienia najwyższej wydajności przełączania i wytrzymywania najwyższego wzrostu dv/dt. W efekcie konstrukcje SuperFET III MOSFET są wysoce odpowiednie dla różnych układów zasilania wymagających miniaturyzacji i wysokiej sprawności.700 V przy TJ = 150°C Większa niezawodność układu przy pracy w niskiej temperaturze Bardzo niski ładunek bramki (Qg = typ. 30 nC) Niższe straty przełączania Niska efektywna pojemność wyjścia (typ. Coss(eff.) = 277 pF) Niższe straty przełączania Zoptymalizowana pojemność Niższe napięcie szczytowe Vds i niższe napięcie oscylacyjne Vgs Rezystancja wewnętrzna bramki: 7,0 oma Niższe napięcie szczytowe Vds i niższe napięcie oscylacyjne Vgs Typ. RDS(on) = 170 mΩ Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 14 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650 V | Typ opakowania: | D2PAK (TO-263) | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 199 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4.5V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 2.5V | Maksymalna strata mocy: | 98 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | ±30 V | Długość: | 10.67mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 1724630, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, FCB199N65S3 |
| | |
| |