|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1723418 Nr producenta:
FCB070N65S3 EAN/GTIN:
5059042164862 |
| |
|
| | |
| Typ kanału = N
Maksymalny ciągły prąd drenu = 44 A
Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V
Typ opakowania = D2PAK (TO-263)
Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Liczba styków = 3
Maksymalna rezystancja dren-źródło = 70 miliomów
Tryb kanałowy = Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS = 4.5V
Minimalne napięcie progowe VGS = 2.5V
Maksymalna strata mocy = 312 W
Konfiguracja tranzystora = Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło = ±30 V
Liczba elementów na układ = 1mm
Wysokość = 4.83mm Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 44 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650 V | Typ opakowania: | D2PAK (TO-263) | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 70 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4.5V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 2.5V | Maksymalna strata mocy: | 312 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | ±30 V | Długość: | 10.67mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 1723418, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, FCB070N65S3 |
| | |
| |