| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-1723418 Nr producenta: FCB070N65S3 EAN/GTIN: 5059042164862 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 44 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = D2PAK (TO-263) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 70 miliomów Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napięcie progowe VGS = 4.5V Minimalne napięcie progowe VGS = 2.5V Maksymalna strata mocy = 312 W Konfiguracja tranzystora = Pojedynczy Maksymalne napięcie bramka-źródło = ±30 V Liczba elementów na układ = 1mm Wysokość = 4.83mm Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 44 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650 V | Typ opakowania: | D2PAK (TO-263) | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 70 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4.5V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 2.5V | Maksymalna strata mocy: | 312 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | ±30 V | Długość: | 10.67mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 1723418, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, FCB070N65S3 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |