|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1723312 Nr producenta:
NVMFD5C672NLWFT1G EAN/GTIN:
5059042321616 |
| |
|
| | |
| Motoryzacyjny układ Power MOSFET w obudowie 5 x 6 mm z płaskimi wyprowadzeniami zaprojektowanej do kompaktowych i efektywnych konstrukcji i zapewniającej wysokie parametry termiczne. Opcja końcówek wyprowadzeń odpornych na zawilgocenie usprawnia kontrolę optyczną. Układ MOSFET i zgodność z procesem PPAP sprawiają, że produkt nadaje się do zastosowań motoryzacyjnych.Małe rozmiary (5 x 6 mm) Niewielkie rozmiary Niska wartość RDS(on) Ograniczenie do minimum strat przewodzenia Niska wartość QG i pojemność Ograniczenie do minimum strat sterownika NVMFD5C446NLWF − opcja końcówek wyprowadzeń odpornych na zawilgocenie Usprawniona kontrola optyczna Zgodność z procesem PPAP Zastosowania Sterownik elektromagnesu Sterownik strony niskiej / strony wysokiej Sterowniki silników motoryzacyjnych Układy ABS Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 49 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60 V | Typ opakowania: | DFN | Seria: | NVMFD5C672NL | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 16.8 mΩ | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2.2V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 1.2V | Maksymalna strata mocy: | 45 W | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | ±20 V | Długość: | 6.1mm | Maksymalna temperatura robocza: | +175°C |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 1723312, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, NVMFD5C672NLWFT1G |
| | |
| |