|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1718365 Nr producenta:
NTTFS4C02NTAG EAN/GTIN:
5059042144932 |
| |
|
| | |
| Typ kanału = N
Maksymalny ciągły prąd drenu = 29 A
Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V
Seria = NTTFS4C02N
Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Liczba styków = 8
Maksymalna rezystancja dren-źródło = 3.1 mΩ
Tryb kanałowy = Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS = 2.2V
Minimalne napięcie progowe VGS = 1.3V
Maksymalna strata mocy = 4,2 W
Konfiguracja tranzystora = Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło = ±20 V
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs = 20 nC przy 4,5 Vmm
Wysokość = 0.75mm Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 29 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30 V | Typ opakowania: | WDFN | Seria: | NTTFS4C02N | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 3.1 mΩ | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2.2V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 1.3V | Maksymalna strata mocy: | 4,2 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | ±20 V | Długość: | 3.15mm |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 1718365, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, NTTFS4C02NTAG |
| | |
| |