| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-1718365 Nr producenta: NTTFS4C02NTAG EAN/GTIN: 5059042144932 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 29 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = NTTFS4C02N Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 3.1 mΩ Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napięcie progowe VGS = 2.2V Minimalne napięcie progowe VGS = 1.3V Maksymalna strata mocy = 4,2 W Konfiguracja tranzystora = Pojedynczy Maksymalne napięcie bramka-źródło = ±20 V Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs = 20 nC przy 4,5 Vmm Wysokość = 0.75mm Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 29 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30 V | Typ opakowania: | WDFN | Seria: | NTTFS4C02N | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 3.1 mΩ | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2.2V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 1.3V | Maksymalna strata mocy: | 4,2 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | ±20 V | Długość: | 3.15mm |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 1718365, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, NTTFS4C02NTAG |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |