|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1712540 Nr producenta:
SSM3K333R EAN/GTIN:
5059041784436 |
| |
|
| | |
| Typ kanału = N
Maksymalny ciągły prąd drenu = 6 A
Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V
Typ opakowania = SOT-23
Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Liczba styków = 3
Maksymalna rezystancja dren-źródło = 42 miliomy
Tryb kanałowy = Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS = 2.5V
Minimalne napięcie progowe VGS = 1.3V
Maksymalna strata mocy = 2 W
Konfiguracja tranzystora = Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło = ±20 V
Szerokość = 1.8mm
Wysokość = 0.8mm Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 6 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30 V | Typ opakowania: | SOT-23 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 42 miliomy | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2.5V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 1.3V | Maksymalna strata mocy: | 2 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | ±20 V | Długość: | 2.9mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 1712540, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Toshiba, SSM3K333R |
| | |
| |