| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-1712540 Nr producenta: SSM3K333R EAN/GTIN: 5059041784436 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SOT-23 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 42 miliomy Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napięcie progowe VGS = 2.5V Minimalne napięcie progowe VGS = 1.3V Maksymalna strata mocy = 2 W Konfiguracja tranzystora = Pojedynczy Maksymalne napięcie bramka-źródło = ±20 V Szerokość = 1.8mm Wysokość = 0.8mm Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 6 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30 V | Typ opakowania: | SOT-23 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 42 miliomy | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2.5V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 1.3V | Maksymalna strata mocy: | 2 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | ±20 V | Długość: | 2.9mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 1712540, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Toshiba, SSM3K333R |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |