| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-1705350 Nr producenta: BUK7610-55AL,118 EAN/GTIN: 5059043755892 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 122 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 55 V Seria = BUK7610 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 20 miliomów Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napięcie progowe VGS = 4.4V Minimalne napięcie progowe VGS = 1V Maksymalna strata mocy = 300 W Konfiguracja tranzystora = Pojedynczy Maksymalne napięcie bramka-źródło = 20 V Szerokość = 11mm Wysokość = 4.5mm Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 122 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55 V | Typ opakowania: | D2PAK (TO-263) | Seria: | BUK7610 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 20 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4.4V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 1V | Maksymalna strata mocy: | 300 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20 V | Długość: | 10.3mm |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 1705350, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Nexperia, BUK761055AL,118 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |