MOSFET N-kanałowy 4,4 A SOIC 60 V SMD Izolacja 2,14 W 97 miliomów

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-1697465

Producent:
Diodes

Nr producenta:
DMN6066SSD-13

EAN/GTIN:
5059043367538

Słowa kluczowe:

Podwójny N-Channel MOSFET, Diodes Inc.

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N
Maksymalny ciągły prąd drenu:	4,4 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:	60 V
Typ opakowania:	SOIC
Typ montażu:	Montaż powierzchniowy
Liczba styków:	8
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	97 miliomów
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS:	3V
Maksymalna strata mocy:	2,14 W
Konfiguracja tranzystora:	Izolacja
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-20 V, +20 V
Długość:	5mm
Maksymalna temperatura robocza:	+150°C
Liczba elementów na układ:	2

Dalsze słowa kluczowe: 1697465, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, DiodesZetex, DMN6066SSD13

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 1,445*

Cena obowiązuje od 1 250 000 szt.

Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 2 500 szt.

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

od 2500 szt.	PLN 1,525*	PLN 1,876	za szt.
od 5000 szt.	PLN 1,505*	PLN 1,851	za szt.
od 12500 szt.	PLN 1,475*	PLN 1,814	za szt.
od 25000 szt.	PLN 1,465*	PLN 1,802	za szt.
od 1250000 szt.	PLN 1,445*	PLN 1,777	za szt.

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.